晶体管元件查询
型号：CS12N65A8R
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：150 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】12 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】12 A
漏极和源极电压（VDSS）：650 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.8 Ω
封装：TO-220AB
更多N沟道场效应管BUK437/600BIRFZ46NLSD70R450GTFQAF34N20L2SK2518APT5010LVRIPB019N08N3E10N160STP10NK60ZFPPHD78NQ03LTDHB180N10STP80NF10IPT020N10N5JCS7HN60F3N171