晶体管元件查询
型号：3N171
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】0.8 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】0.8 W
漏极电流（ID）：0.03 A
漏极和源极电压（VDSS）：25 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：200 Ω
备注：Vgs(th)≤3V
封装：TO-72
更多N沟道场效应管2SK2848FDH50N50STB7NK80Z-1IRL540FLS50BB305MRM120N60T2STFI4N62K3AOTF9N70IRFZ34NFS70UM-06PHP3055ESVF4N60FIRFF133IRFR020