晶体管元件查询
型号：RM120N60T2
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】180 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】180 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】120 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】120 A
漏极和源极电压（VDSS）：60 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.004 Ω
封装：TO-220
更多N沟道场效应管IRFK4H450LSGD10R080W32SK1198FHD100N03DIRFK4J450HAT2221C2SK27492SK666STY139N65M52SK3636LNH5N50LSC65R180HTIPI60R099CP(6R099P)PHX7NQ60ECS12N60A8R