晶体管元件查询
型号：DHB180N10
类型：N沟道场效应管
漏极电流（ID）：180 A
漏极和源极电压（VDSS）：100 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.0043 Ω
总耗散功率（Ptot）：346 W
封装：TO-251B
更多N沟道场效应管FQPF20N60IRFJ242IRFD110RJK4518DPKKHB9D5N20F2HAT2204CCS30N20CEBF630IXFK120N20P2SK1058LSDN65R950HTRQA0004BF410A2SK5592SK3683