晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：IRFD110
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：1 W
漏极电流（ID）：1 A
漏极和源极电压（VDSS）：100 V
封装：P-DIP4PIN

更多N沟道场效应管HY1001PSVF4N65FGIRFU2222SK6385N08P2SK3658SGD1K1N70W3NCE65TF180DSSF7510SKSS046N08NFLK022WGSGF660N70W3SGT160N50W3FK20SM-6IXFT30N50

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