晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：IPB019N08N3
类型：N沟道场效应管
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】180 A
漏极和源极电压（VDSS）：80 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.0019 Ω
总耗散功率（Ptot）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】300 W
封装：TO-263-7

更多N沟道场效应管18N50APSSSH7N60MTP10N60-TAIRF615RU7085RTK31Z60X2SK12712SK3271IRLU110CS64N12PHP29N08TFHS100N8F6AMTM4N45FQP20N65IRF120

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