晶体管元件查询
型号：PHD78NQ03LT
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】93 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】93 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】75 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】75 A
漏极和源极电压（VDSS）：25 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.009 Ω
封装：DPAK
更多N沟道场效应管20N50IPI200N25N3G(200N25N)2SK3447NCE8295A2SK2541SVD10N65IRFK2D250IRC533IRF232DH3205P2SK2959IRFJ231IPB120N06NDMN2027USSBB506C