晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：BF990A
类型：N沟道场效应管（双栅MOS）
漏极电流（ID）：0.03 A
漏极和源极电压（VDSS）：18 V
总耗散功率（Ptot）：0.2 W

更多N沟道场效应管（双栅MOS）BF964BF961BFR84BF966S3N1593SK60BF981BF9663SK131BF994SBF980ABF9913SK74BF960BF910

简体中文 - English - 日本語 - 繁體中文

电子爱好者