晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：3SK131
类型：N沟道场效应管（双栅MOS）
漏极电流（ID）：0.025 A
漏极和源极电压（VDSS）：20 V
总耗散功率（Ptot）：0.2 W
芯片材质：硅

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