晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：3N159
类型：N沟道场效应管（双栅MOS）
耗散功率（PD）：
【环境温度（Ta）＝25 ℃】0.4 W
漏极电流（ID）：
【环境温度（Ta）＝25 ℃】0.05 A
漏极和源极电压（VDSS）：20 V
工作频率（f）：300 MHz
封装：TO-72

更多N沟道场效应管（双栅MOS）BF994SBFR84BF960BF991BF9982SK193BF966SBF996SBF964BF9103SK60BF981BF9613SK131BF980A

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