晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：BF966S
类型：N沟道场效应管（双栅MOS）
漏极电流（ID）：0.03 A
漏极和源极电压（VDSS）：20 V
总耗散功率（Ptot）：0.2 W
特征频率（fT）：800 MHz

更多N沟道场效应管（双栅MOS）BF981BF910BF9983SK73BF9912SK1933SK74BF990ABF9603SK1313SK60BF9823N159BFR84BF980A

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