晶体管元件查询

电压 V  电流 A
型号:BF910
类型:N沟道场效应管(双栅MOS)
漏极电流(ID):0.05 A
漏极和源极电压(VDSS):20 V
总耗散功率(Ptot):0.33 W

更多N沟道场效应管(双栅MOS)BF994SBFR843SK73BF9982SK193BF982BF9913SK743SK131BF996SBF9603N159BF990ABF961BF981

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