晶体管元件查询
型号：SCT20N120
类型：N沟道场效应管
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】20 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】20 A
漏极和源极电压（VDSS）：1200 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.239 Ω
总耗散功率（Ptot）：175 W
封装：HiP247
更多N沟道场效应管IRFB4110IRFR024NPbFSGT650N80W3STH13NB6CF1DH3205TFQL40N50LNE10R180FQU2N10018N10FFSSUM-14(A)IRF4412SK3455IXFK120N20STP12NM502SK133