晶体管元件查询
型号：FQL40N50
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：460 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】40 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】40 A
漏极和源极电压（VDSS）：500 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.11 Ω
封装：TO-264
更多N沟道场效应管DH32782SK3773-01MR2SK1530MPVA10N65FWMO14N65C2SGM2006M/PIRF2907LND10R180NTP75N03H5N2517FNLND7N602SK4106NCE40H20AFDH20N40KHB9D5N20P1