晶体管元件查询
型号：MPVA10N65F
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】65 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】65 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】10 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】10 A
漏极和源极电压（VDSS）：650 V
栅极阈值电压（VGS(th)）：2~4 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：1.1 Ω
封装：TO-220F
更多N沟道场效应管FQA24N50SGT250N50W3IRFJ22310N65D-TRCM150N03CMGF1413FLM7785-12DASTU6NA100MGFK30M4045H5N2007FNHYG024N03LR1DFS10ASJ-06FIRFM0402SK3728-01MRTK065Z65Z