晶体管元件查询
型号：FQA24N50
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：290 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】24 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】24 A
漏极和源极电压（VDSS）：500 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.2 Ω
封装：TO-3PN
更多N沟道场效应管2SK1081DH180N10SGU660N60W32SK2847H7N0308CFBB506CIRF242FDP5N60NZIPLU300N04S4-R7(4N04R7)UTC11NM65L/G2SK1962FHP730TF12N65E10N140IRFP3306PbF