晶体管元件查询
型号：FQU2N100
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：50 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】1.6 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】1.6 A
漏极和源极电压（VDSS）：1000 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：9 Ω
封装：IPAK
更多N沟道场效应管DHI1404T2SK427SGB600N60W32SK2926SVD4N65LNH06R140STW8N80STV4N100IRFU010LNSC2302STP26N60DM6RQA0003FS3KM-5ASTH5N90LSB60R125HT