晶体管元件查询
型号：SGT650N80W3
类型：N沟道场效应管
漏极电流（ID）：8 A
漏极和源极电压（VDSS）：800 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.65 Ω
封装：TO-220FB
更多N沟道场效应管FIR2N80LGHY3312PSNCE01H14TIRFZ46NPBFMTP8N20CRSS038N08N10N60HY5608WFQP9N50IRFZ44NPbFIPLU250N04S4-1R7(4N041R7)LSDN60R1K4HT2SK735DHE5402SK2056