晶体管元件查询
型号：LSDN60R1K4HT
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：18 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】3 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】3 A
漏极和源极电压（VDSS）：600 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：1.4 Ω
封装：TO-220MF
更多N沟道场效应管2SK35723SK1122SK2749W20NB50SGD1K1N70W3CJP08N60IRFF210LNE06R110CHM94TSTF24N60M2KNH7650AHAT2196CFHF840IRFSZ34TK100E10N1