晶体管元件查询
型号：MDP10N027TH
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：416 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】272 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】272 A
漏极和源极电压（VDSS）：100 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.0028 Ω
封装：TO-220
更多N沟道场效应管LNN06R1408N60BSVD3N80RJK2009DPMMGFK38V2228IRFM040LNC08R160LSH70R450GTVCRR65T180FIRF742FLM6472-6DSGB250N50W3FTD09N03NIRFK6J250RQK0606KGDQA