晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：SGB250N50W3
类型：N沟道场效应管
漏极电流（ID）：14 A
漏极和源极电压（VDSS）：500 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.25 Ω
封装：TO-263

更多N沟道场效应管FQU2N60CDHF070N062SK786IRFK2D054IRFF313FQP9N50CIRFU312IRFF131IXTH6N802SK1688IRFF122LSD65R950HTIRFZ45AP300N08T6STW3N150

简体中文 - English - 日本語 - 繁體中文

电子爱好者