晶体管元件查询
型号：8N60B
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：155 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】8 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】8 A
漏极和源极电压（VDSS）：600 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：1 Ω
封装：TO-263
更多N沟道场效应管2N7002K(H702K)S80N10SJCS20N65FH2SK30ATMAOB14N50IRFB5615PbFAOD4186IRFAE50LSD65R930GTSVF7N65STP20NM60FP2SK4110IRF1404ZPbFCM150N03LNH04R035B