晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：RJK2009DPM
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】60 W
漏极电流（ID）：60 A
漏极和源极电压（VDSS）：200 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.034 Ω
封装：TO-3PFM

更多N沟道场效应管IXFH1N80IRFSZ35BB504CJCS4N60VCRSZ019N10N4Z2SK1378H5N2504DLDHI110N15BUZ330IRLB3034IRFI530AOT11N70IRFP2522SK792MDP5N50F

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