晶体管元件查询
型号：AOT11N70
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】271 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】271 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】11 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】11 A
漏极和源极电压（VDSS）：700 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.87 Ω
封装：TO-220
更多N沟道场效应管NCE65R260FLSB55R140GFIXTA5N60PLSH65R930GT2SK956FLM1011-8DCS7N60A4RIRFIP450SP85N80IRFF323LND08R055W3STF11NM80SUB85N03-04PFQAF34N20L07N60C3