晶体管元件查询
型号：LSB65R041GT
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：500 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】78 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】78 A
漏极和源极电压（VDSS）：650 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.041 Ω
封装：TO-247
更多N沟道场效应管LNC06R0622SK2959DHI85N055RIXTP18N60PMFHP200N6F3ASSP65R650S22SK649NDP603ASTB9NK50ZT4CS4N65FLM5964-8C/DSGB660N60W3SSH8N70UF3N25IRFIZ34