晶体管元件查询
型号：2SK649
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：0.2 W
漏极电流（ID）：0.1 A
漏极和源极电压（VDSS）：6 V
封装：4-210
更多N沟道场效应管H7N0401LS2SK676JCS7HN60FSTP13NM60NSVT077R5NTRJK6014DPPNP80N055CLE2SK37472SK19632SK2642IRF740FH7N0310LMH7N0603DSBUZ310IRF1404PBF
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