晶体管元件查询
型号：SSP65R650S2
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】80 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】80 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】7.8 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】7.8 A
漏极和源极电压（VDSS）：650 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.65 Ω
封装：TO-220
更多N沟道场效应管LSGN06R098W3STH12N60IRFAC422SK3101LSLNC045R090SMK2050CIIRFZ402SK7902N6763NE202487N90OSG65R099HSZFDP045N10AMTH8N90BUZ91