晶体管元件查询
型号：OSG65R099HSZ
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】278 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】278 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】32 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】32 A
漏极和源极电压（VDSS）：650 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.099 Ω
封装：TO-247
更多N沟道场效应管RJK5014DPKQM3006DH5N1501LDCSF2N60IRF741IRF4110TK13A50DFLR026FHLSE65R180GTBUZ71FLR014XPUV4004RSTP11NK40ZFP2SK3532IRFU210