晶体管元件查询
型号：SGB660N60W3
类型：N沟道场效应管
漏极电流（ID）：6 A
漏极和源极电压（VDSS）：600 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.66 Ω
封装：TO-263
更多N沟道场效应管JCS20N60ANHFTW20N60ASGW210N50W3IXTH6N90TK065Z65ZU3N60IXFM21N50IXFT96N20P07N03LH7N0608FMIRFZ242SK3919JCS8N60FIRC840IRFF313
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