晶体管元件查询
型号：HYG011N04LS1TA
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】250 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】250 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】320 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】320 A
漏极和源极电压（VDSS）：40 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.0012 Ω
封装：TOLL
更多N沟道场效应管FLC053WGSVD8N80STD12NM50NIRFJ142SVD13N50FLSB60R125HTIPB05CN10NDHF130N032SK790KHB9D5N20F2IRFD213SWP8N65DBUK457-600AFQP5N60CBSC014N04LS(014N04LS)