晶体管元件查询
型号：IPB05CN10N
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】300 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】300 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】100 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】100 A
漏极和源极电压（VDSS）：100 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.0054 Ω
封装：TO-263
更多N沟道场效应管HY1707PIXFH34N65X2STB7NK80ZT4LNN10R180IRFF233HY3312BLNL05R230IXFH60N202SK557DH1404TMTP12N1865R950AOD4184SGF250N50W3H7N1004LM