晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：IRFD213
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：1 W
漏极电流（ID）：0.45 A
漏极和源极电压（VDSS）：150 V
封装：P-DIP4PIN

更多N沟道场效应管STF32N65M5LSG65R930GTCMH20N50STI18N60M2FSX03LFRJK1526DPE3SK1682SK1884FHS120N7F6AFQP10N80-VBSTI20N65M5IRFG1Z0SSP4N60ASSTB14NK50Z-1LSH60R1K4HT

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