晶體管元件查詢
型號：3DG112D
類型：NPN三極體
集電極最大耗散功率（PCM）：0.3 W
集電極最大允許電流（ICM）：0.05 A
集電極與基極反向擊穿電壓（BVCBO）：40 V
集電極與發射極反向擊穿電壓（BVCEO）：30 V
發射極與基極反向擊穿電壓（BVEBO）：4 V
集電極與基極反向漏電流（ICBO）：0.1 μA
發射極與基極反向漏電流（IEBO）：0.1 μA
集電極與發射極飽和電壓（VCE（sat））：
【集電極電流（Ic）=0.01 A】0.35 V
【集電極電流（Ic）=0.01 A】0.35 V
特徵頻率（fT）：700 MHz
直流放大係數（hFE）：40~270
封裝：B-2
更多NPN三極體BFY19A3DG110A3DG37A3DG5E3DG161M3BX85A3DG304CBC183CP3DK7C2SC1890AFSE6002BC109CPBC413BP2N3261SCA43