晶体管元件查询
型号：3DG112D
类型：NPN三极管
集电极最大耗散功率（PCM）：0.3 W
集电极最大允许电流（ICM）：0.05 A
集电极与基极反向击穿电压（BVCBO）：40 V
集电极与发射极反向击穿电压（BVCEO）：30 V
发射极与基极反向击穿电压（BVEBO）：4 V
集电极与基极反向漏电流（ICBO）：0.1 μA
发射极与基极反向漏电流（IEBO）：0.1 μA
集电极与发射极饱和电压（VCE(sat)）：
【集电极电流（Ic）＝0.01 A】0.35 V
【集电极电流（Ic）＝0.01 A】0.35 V
特征频率（fT）：700 MHz
直流放大系数（hFE）：40~270
封装：B-2
更多NPN三极管2SC1890AFBC413BPBC184BPAD8133DG161M3DG304A2SC735YBCP1473CG1ABC414BP3DG4043DG8B2N7802SC11293DG62C