晶體管元件查詢
電壓 V　 電流 A
型號：3DG110B
類型：NPN三極體
集電極最大耗散功率（PCM）：0.3 W
集電極最大允許電流（ICM）：0.05 A
集電極與基極反向擊穿電壓（BVCBO）：40 V
集電極與發射極反向擊穿電壓（BVCEO）：30 V
集電極與基極反向漏電流（ICBO）：0.1 μA
集電極與發射極反向漏電流（ICEO）：0.1 μA
特徵頻率（fT）：150 MHz
直流放大係數（hFE）：≥30
晶片材質：硅

更多NPN三極體3DG304BSE60012SC11293DX4D3DG4013DG32A2N3566BC238PCM3DG110C3DG112B3DG44E2SC34023DX4G3DG161I3DG5E

简体中文 - English - 日本語 - 繁體中文

電子愛好者