晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：3DG110B
类型：NPN三极管
集电极最大耗散功率（PCM）：0.3 W
集电极最大允许电流（ICM）：0.05 A
集电极与基极反向击穿电压（BVCBO）：40 V
集电极与发射极反向击穿电压（BVCEO）：30 V
集电极与基极反向漏电流（ICBO）：0.1 μA
集电极与发射极反向漏电流（ICEO）：0.1 μA
特征频率（fT）：150 MHz
直流放大系数（hFE）：≥30
芯片材质：硅

更多NPN三极管3DK103A3DK7B3DX1033DX1053DX4G3DG112A3DK7E3DG110D3DG161M2SC5383DG61C3DG9ABC239PCM3DG44DBC414CP

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