晶體管元件查詢
型號：3DG112B
類型：NPN三極體
集電極最大耗散功率（PCM）：0.3 W
集電極最大允許電流（ICM）：0.05 A
集電極與基極反向擊穿電壓（BVCBO）：40 V
集電極與發射極反向擊穿電壓（BVCEO）：30 V
發射極與基極反向擊穿電壓（BVEBO）：4 V
集電極與基極反向漏電流（ICBO）：0.1 μA
發射極與基極反向漏電流（IEBO）：0.1 μA
集電極與發射極飽和電壓（VCE（sat））：
【集電極電流（Ic）=0.01 A】0.35 V
【集電極電流（Ic）=0.01 A】0.35 V
特徵頻率（fT）：500 MHz
直流放大係數（hFE）：40~270
封裝：B-2
更多NPN三極體3DK7A3DG5EBC239PCLSCA443DG4042N7533DX105AD8103DG110CCX9013DX4E3DG304A3DX201BSCA433DG4E