晶體管元件查詢
電壓 V　 電流 A
型號：3DG4E
類型：NPN三極體
集電極最大耗散功率（PCM）：0.3 W
集電極最大允許電流（ICM）：0.05 A
集電極與基極反向擊穿電壓（BVCBO）：40 V
集電極與發射極反向擊穿電壓（BVCEO）：30 V
集電極與基極反向漏電流（ICBO）：0.1 μA
集電極與發射極反向漏電流（ICEO）：0.1 μA
特徵頻率（fT）：300 MHz
直流放大係數（hFE）：≥30
晶片材質：硅

更多NPN三極體3DG5B3DX4DAD813SCA45BC413BP3DG44CBCP147BC184CP3DG32B2N35673DG161A3DG161J3DK7E3DG5C3DX201A

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