晶體管元件查詢
電壓 V　 電流 A
型號：3DD50E
類型：NPN三極體
集電極最大耗散功率（PCM）：1 W
集電極最大允許電流（ICM）：1 A
集電極與發射極反向擊穿電壓（BVCEO）：150 V
發射極與基極反向擊穿電壓（BVEBO）：3 V
集電極與發射極反向漏電流（ICEO）：400 μA
直流放大係數（hFE）：≥10
晶片材質：硅

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