晶體管元件查詢
電壓 V　 電流 A
型號：3DD50A
類型：NPN三極體
集電極最大耗散功率（PCM）：1 W
集電極最大允許電流（ICM）：1 A
集電極與發射極反向擊穿電壓（BVCEO）：30 V
發射極與基極反向擊穿電壓（BVEBO）：3 V
集電極與發射極反向漏電流（ICEO）：400 μA
直流放大係數（hFE）：≥10
晶片材質：硅

更多NPN三極體BSR40BD150A3DG84G3DD50BBSR432N4925CDQ100442N37123DD51D2SD1994A3DA183DA93C3DD50E2SD7742N3119

简体中文 - English - 日本語 - 繁體中文

電子愛好者