晶體管元件查詢
電壓 V　 電流 A
型號：3DG84G
類型：NPN三極體
集電極最大耗散功率（PCM）：1 W
集電極最大允許電流（ICM）：0.3 A
集電極與發射極反向擊穿電壓（BVCEO）：200 V
發射極與基極反向擊穿電壓（BVEBO）：4 V
特徵頻率（fT）：50 MHz
直流放大係數（hFE）：25~180
封裝：B-4

更多NPN三極體CDQ10033CDQ10045BSR43BSR422SC495BD150CBSS133DD51C3DG84CCT6352N2108CT6392N3734BD150AJAN2N3444

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