3DD52D參數_晶體管元件查詢

晶體管元件查詢

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型號：3DD52D
類型：NPN三極體
集電極最大耗散功率（PCM）：1 W
集電極最大允許電流（ICM）：0.5 A
集電極與發射極反向擊穿電壓（BVCEO）：110 V
發射極與基極反向擊穿電壓（BVEBO）：5 V
集電極與發射極反向漏電流（ICEO）：500 μA
集電極與發射極飽和電壓（VCE（sat））：
【集電極電流（Ic）=0.2 A】1 V
直流放大係數（hFE）：≥10
封裝：F-1
更多NPN三極體2SD1368CABSR40BD150CBD150B3DD52B2SD668BD150A2N4926C8050BSS133DD52E2SD1847CDQ10014CT639CDQ10033