2N652參數_晶體管元件查詢

晶體管元件查詢

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型號：2N652
類型：PNP三極體
集電極最大耗散功率（PCM）：0.2 W
集電極電流（IC）：-0.5 A
集電極與基極最高耐壓（VCBO）：-45 V
集電極與發射極最高耐壓（VCEO）：-45 V
發射極與基極最高耐壓（VEBO）：-30 V
特徵頻率（fT）：1.2 MHz
直流放大係數（hFE）：≥80
晶片材質：鍺
封裝：TO-5
更多PNP三極體2SA1338AL6GE239ASY87BSR12MMCM2907AHXV2N51382N4162N1175A3AX81BAC1563AX53B2N650BT4261AC157AC113