2N1175A參數_晶體管元件查詢

晶體管元件查詢

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型號：2N1175A
類型：PNP三極體
集電極最大耗散功率（PCM）：0.2 W
集電極電流（IC）：-0.2 A
集電極與基極最高耐壓（VCBO）：-35 V
集電極與發射極最高耐壓（VCEO）：-25 V
發射極與基極最高耐壓（VEBO）：-10 V
特徵頻率（fT）：1 MHz
直流放大係數（hFE）：70~140
晶片材質：鍺
封裝：TO-39
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