2N1008B參數_晶體管元件查詢

晶體管元件查詢

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型號：2N1008B
類型：PNP三極體
集電極最大耗散功率（PCM）：0.2 W
集電極電流（IC）：-0.3 A
集電極與基極最高耐壓（VCBO）：-60 V
集電極與發射極最高耐壓（VCEO）：-55 V
特徵頻率（fT）：0.4 MHz
直流放大係數（hFE）：40~150
晶片材質：鍺
封裝：TO-5
更多PNP三極體2N10982N4917AC113BSR12RMMCM2907AHXV2N5082N42502N1175A3AX45AASY833AX54G4ASY66MMCM3468HXV2N11912N413