2N1008B参数_晶体管元件查询

晶体管元件查询

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型号：2N1008B
类型：PNP三极管
集电极最大耗散功率（PCM）：0.2 W
集电极电流（IC）：-0.3 A
集电极与基极最高耐压（VCBO）：-60 V
集电极与发射极最高耐压（VCEO）：-55 V
特征频率（fT）：0.4 MHz
直流放大系数（hFE）：40~150
芯片材质：锗
封装：TO-5
更多PNP三极管ASY63MMCM3468HSBT4261AC1552SA836ASY563AX263AX45B2N1361A3AX403AX53A2N654MMCM3799HXVAC1662N1194