トランジスタ素子クエリ
部品番号：2N652
種類：PNPバイポーラートランジスター
最大コレクタ損失（PCM）：0.2 W
コレクタ電流（IC）：-0.5 A
コレクタ・ベース間電圧（VCBO）：-45 V
コレクタ・エミッタ間電圧（VCEO）：-45 V
エミッタ・ベース間電圧（VEBO）：-30 V
トランジション周波数（fT）：1.2 MHz
直流電流増幅率（hFE）：≥80
チップ材料：ゲルマニウム
外形：TO-5
その他のPNPバイポーラートランジスター2N11852N1191ASY64AC157ASY89AC168MMCM4261HSASY872N2042ASY54MMCM2907AHXV2N42502N1192AC166AC113