トランジスタ素子クエリ
部品番号：Si7852DP
種類：電界効果トランジスタ Nチャネル
許容損失（PD）：
【周囲温度（Ta）＝25 ℃】5.2 W
【周囲温度（Ta）＝25 ℃】5.2 W
ドレイン電流（ID）：
【周囲温度（Ta）＝25 ℃】12.5 A
【周囲温度（Ta）＝25 ℃】12.5 A
ドレイン・ソース間電圧（VDSS）：80 V
ゲート閾値電圧（VGS(th)）：≥2 V
ドレイン・ソース間オン抵抗（RDS(on)）：0.0165 Ω
外形：PowerPAK-SO-8
その他の電界効果トランジスタ NチャネルAHK6030LXDHE3205TFQPF8N60CIRFF212DHI80N08IRFJ2432N4302SVF13N50JCS730RFHP20N40ASPA15N60C3BUK457-500B2SK3673-01MR2SK1058IRFM140