晶体管元件查询
型号：Si7852DP
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【环境温度（Ta）＝25 ℃】5.2 W
【环境温度（Ta）＝25 ℃】5.2 W
漏极电流（ID）：
【环境温度（Ta）＝25 ℃】12.5 A
【环境温度（Ta）＝25 ℃】12.5 A
漏极和源极电压（VDSS）：80 V
栅极阈值电压（VGS(th)）：≥2 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.0165 Ω
封装：PowerPAK-SO-8
更多N沟道场效应管BUK563-48C2SK1917MRJK4514DPKIXFT15N100Q32SK1363SP75N752SK2742SK875LNE10R180SGB650N80W3IRF433SGI660N60W3SMK1060PFLR024FHSMT15N65