晶体管元件查询
型号：WMM14N65C2
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：85 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】11 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】11 A
漏极和源极电压（VDSS）：650 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.405 Ω
封装：TO-263
更多N沟道场效应管LSGE15R085W3BF247CIRF0452N6796FQP3N60CHYG011N04LS1C214N25FLK012WFSGB1K1N65W3BF245BSTW5NA902SK2294SPS1N602SK2417H7N0312LS